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京都大学発ベンチャーのFLOSFIA、総額 7 億 5,000 万円の第三者割当増資を実施

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注目の新規パワー半導体「コランダム構造酸化ガリウム(α-Ga2O3)」の開発販売を手掛ける 株式会社 FLOSFIA(本社:京都府京都市、代表取締役社長:人羅俊実)は、ベンチャーキャピ タル及び事業会社の数社を引受先として、総額 7 億 5 千万円の第三者割当増資を実施した。

今回の資金調達資金を用いて製造ラインを構築し、α-Ga2O3 パワーデバイスを世界に先駆け て量産販売することを目指す(2018 年予定)。

【本資金調達引受先】
みやこキャピタル株式会社(※) (本社:京都府京都市、代表取締役:山口哲史)
株式会社環境エネルギー投資(※) (本社:東京都品川区、代表取締役:河村修一郎)
株式会社東京大学エッジキャピタル(※) (本社:東京都文京区、代表取締役社長:郷治友孝)
ニッセイ・キャピタル株式会社(※) (本社:東京都千代田区、代表取締役:有馬英二)
株式会社安川電機 (本社:福岡県北九州市、代表取締役社長:小笠原浩)
京都大学イノベーションキャピタル株式会社(※) (本社:京都府京都市、代表取締役:室田浩司)
フューチャーベンチャーキャピタル株式会社(※) (本社:京都府京都市、代表取締役社長:松本直人)
(※)それぞれが運営するファンドにて引受

【省エネ化の切り札となる取組み】
省エネを社会全体で実現するためには、低損失なものを、安く作る新しい技術が必要不可欠。α-Ga2O3 は京都大学藤田静雄教授によって見出された画期的なパワー半導体材料で、当該半導体を用いたパワーデバイスは電力変換損失を大幅に削減させつつ (最大 90%程度)、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる(50%程度)ことが期待されることから、その量産化が嘱望されている。
FLOSFIA では藤田静雄教授と連携し、世界に先駆けてこのα-Ga2O3 半導体の研究開発に取り組み、数々の成果を上げてきた。従来のパワー半導体は高真空装置を用いて製造されるのに対し、真空装置を使わない画期的な製造方法 MISTEPITAXY®法を用いてダイオード(SBD)の 実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現し、高スイッチングを確認した。さらに α-Ga2O3 半導体の弱点の克服となる技術開発にも成功、標準パッケージ(TO220)に実装して良好な熱抵抗を実現するとともに、α-Ga2O3 半導体とほぼ同じ格子定数を有する新規 p 型半導 体酸化イリジウム(α-Ir2O3)を発見してノーマリーオフトランジスタ(FET)の基礎技術も構築してきた。 今後、さらに SBD および FET の製品化・量産化を加し、より幅広い産業領域に、低損失・ 低コストなα-Ga2O3 パワー半導体を展開することを目指していく。

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