京都大学発ベンチャーのFLOSFIA、総額7億5,000万円の第三者割当増資を実施

今回の資金調達資金を用いて製造ラインを構築し、α-Ga2O3 パワーデバイスを世界に先駆け て量産販売することを目指す（2018 年予定）。

【本資金調達引受先】
みやこキャピタル株式会社（※） （本社：京都府京都市、代表取締役：山口哲史）
株式会社環境エネルギー投資（※） （本社：東京都品川区、代表取締役：河村修一郎）
株式会社東京大学エッジキャピタル（※） （本社：東京都文京区、代表取締役社長：郷治友孝）
ニッセイ・キャピタル株式会社（※） （本社：東京都千代田区、代表取締役：有馬英二）
株式会社安川電機 （本社：福岡県北九州市、代表取締役社長：小笠原浩）
京都大学イノベーションキャピタル株式会社（※） （本社：京都府京都市、代表取締役：室田浩司）
フューチャーベンチャーキャピタル株式会社（※） （本社：京都府京都市、代表取締役社長：松本直人）
（※）それぞれが運営するファンドにて引受

【省エネ化の切り札となる取組み】
省エネを社会全体で実現するためには、低損失なものを、安く作る新しい技術が必要不可欠。α-Ga2O3 は京都大学藤田静雄教授によって見出された画期的なパワー半導体材料で、当該半導体を用いたパワーデバイスは電力変換損失を大幅に削減させつつ （最大 90％程度）、電力変換回路全体のコストを大幅に低減させる（50％程度）ことが期待されることから、その量産化が嘱望されている。
FLOSFIA では藤田静雄教授と連携し、世界に先駆けてこのα-Ga2O3 半導体の研究開発に取り組み、数々の成果を上げてきた。従来のパワー半導体は高真空装置を用いて製造されるのに対し、真空装置を使わない画期的な製造方法 MISTEPITAXY®法を用いてダイオード（SBD）の 実証試作に成功、世界最小の特性オン抵抗を実現し、高スイッチングを確認した。さらに α-Ga2O3 半導体の弱点の克服となる技術開発にも成功、標準パッケージ（TO220）に実装して良好な熱抵抗を実現するとともに、α-Ga2O3 半導体とほぼ同じ格子定数を有する新規 p 型半導 体酸化イリジウム（α-Ir2O3）を発見してノーマリーオフトランジスタ（FET）の基礎技術も構築してきた。 今後、さらに SBD および FET の製品化・量産化を加し、より幅広い産業領域に、低損失・ 低コストなα-Ga2O3 パワー半導体を展開することを目指していく。